GB/T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method
内容简介
国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。本文件适用于室温电阻率大于1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围（以原子数计）为2.5×1014cm-31.5×1017cm-3。
起草单位
青海芯测科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、弘元新材料（包头）有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、布鲁克（北京）科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、高景太阳能股份有限公司、
起草人
薛心禄、秦榕、邓浩、岳玉芳、张园园、赵跃、陈卫国、路盛刚、邱艳梅、李向宇、汪奇、李素青、杨晓青、李明珍、赵雄、雷浩东、蔡延国、徐岩、张遵、杨阳、徐志群、
相近标准
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