GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
内容简介
国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质it和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度范围为300μm~1000μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所、常州臻晶半导体有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、中国科学院半导体研究所、浙江东尼电子股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、
起草人
姚康、 刘立娜、 马春喜、 高飞、 郑红军、 房玉龙、 刘薇、 李嘉炜、 杨玉聪、 黄树福、 何烜坤、李素青、张红岩、陆敏、芦伟立、丁雄杰、晏阳、钮应喜、
相近标准
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