GB/Z 43510-2023 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南
Integrated circuit TSV 3D package reliability test methods guideline
内容简介
国家标准《集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南》由TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。 本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。
起草单位
中国电子技术标准化研究院、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院半导体研究所、电子科技大学、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、中国科学院微电子研究所、
起草人
李锟、 彭博、 周斌、 高见头、 肖克来提、吴道伟、李文昌、
相近标准
20182279-T-339集成电路三维封装芯片叠层工艺过程和评价要求20182287-T-339集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求20182286-T-339集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺过程和评价要求20231790-T-339三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法20192057-T-339复杂集成电路设计保证指南SY/T10021-1998海上三维地震资料处理技术指南GB/T43536.1-2023三维集成电路第1部分：术语和定义20231872-T-339半导体器件通用鉴定指南第1部分：集成电路可靠性鉴定指南YY/T1279-2015三维超声成像性能试验方法GB/T43536.2-2023三维集成电路第2部分：微间距叠层芯片的校准要求
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，本网站所提供的电子文本仅供参考，请以正式出版物为准。电子文本仅供个人标准化学习、研究使用，不得复制、发行、汇编、翻译或网络传播等。如有侵权，请及时联系我们！