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SJ/T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范

SJ/T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范

SJ/T 11818.3-2022

行业标准-电子推荐性

标准详情

  • 标准名称:半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范
  • 标准号:SJ/T 11818.3-2022
    中国标准分类号:L53
  • 发布日期:2022-10-20
    国际标准分类号:31.26
  • 实施日期:2023-01-01
    技术归口:中国电子标准化研究院
  • 代替标准:
    批准发布部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电子学电子

内容简介

行业标准《半导体紫外发射二极管 第3部分:器件规范》,主管部门为工业和信息化部。件规定了半导体紫外发射二极管(以下简称器件)的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则,以及标志、包装、运输和储存要求。本文件适用于峰值波长范围在200nm~400nm件的制造和使用,峰值波长400nm~420nm的器件可参照执行。

起草单位

鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院院有限公司、三安光电股份有限公司、厦门多彩光电子科技有有限公司、中国电子科技集团有限公司第十三研究所、佛山市国星光电股份有限公司、华南理工大学

起草人

吕天刚、王跃飞、吴乾、刘秀娟、周钢、梁奋、郑剑飞、刘东月、袁毅凯、李宗涛

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