SJ/T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉
内容简介
行业标准《正压悬浮区熔单晶硅炉》，主管部门为工业和信息化部。件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉（以下简称“区熔炉”）的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。本文件适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
起草单位
浙江晶盛机电股份有限公司、浙江晶鸿精密机械制造有限公司、浙江求是半导体设备有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、中国电子技术标准化研究院
起草人
曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、郑丽霞、叶钢飞、刘嘉、王遵义、孙健、曹可慰、吴怡然、李其聪
相近标准
JB/T9692.1-1999工频无心感应熔铁（钢）炉和铁保温炉JB/T5654-1991坩埚式熔铝电阻炉能耗分等JB/T5655-1991熔铅、铅锑合金电阻炉能耗分等DB36/T600-2010蓄热式熔铝反射炉20240429-T-464医药工业洁净室（区）悬浮粒子的测试方法YY0141-1993医药工业洁净室和洁净区悬浮粒子的测试方法DB13/T1314-2010太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片GB/T4060-2018硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T4059-2018硅多晶气氛区熔基磷检验方法
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