SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
内容简介
行业标准《半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法》，主管部门为工业和信息化部。件规定了半导体紫外发射二极管（以下简称器件）辐射度参数测试方法，包括测试条件、测试仪器、测试步骤等。本文件适用于峰值波长200nm~400nm器件的测试，峰值波长400nm~420nm器件的测试方法可参照执行。
起草单位
广州赛西标准检测研究院有限公司、深圳赛西信息技术有限公司、鸿利智汇集团股份有限公司、三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、广东省半导体产业技术研究院、TCL半导体光源研究院、广东省中山市质量监督检测所、中国科学院半导体研究所、北京集创北方科技股份有限公司、福建鸿博光电科技有限公司、广东工业大学、大连工业大学光子学研究所、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、北京国联万众半导体科技有限公司、杭州尚光电有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、杭州浙大三色仪器有限公司
起草人
吴杜雄、周钢、刘秀娟、吕天刚、时军鹏、胡爱华、樊磊、陈志涛、刘宁炀、彭振坚、洪震、何苗、孙雪娇、刘硕、张云翠、吴乾、葛莉荭、张志国、虞美建栋、袁毅凯、麦家儿、颜爱军、许子愉
相近标准
SJ/T11818.2-2022半导体紫外发射二极管第2部分：芯片规范SJ/T11818.3-2022半导体紫外发射二极管第3部分：器件规范SJ/T2658.1-2015半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.12-2015半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽SJ/T2658.14-2016半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温SJ/T2658.15-2016半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻GB/T18904.1-2002半导体器件第12-1部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范SJ/T2658.10-2015半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽SJ/T2658.2-2015半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压
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