BS 9364 N007& N009-1978 npnSiliziumSchalttransistoren MIT格林格Leistungsaufnahme ， Detailspezifikation ， 20 V ， planarepitaxial ， umgebungsbezogen ， hermetisch abgedichtet ， Volles UND zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau详细规范低功率NPN ， 20 V ， 300毫瓦瑞士法郎
BS 9364 N007& N009-1978 标准详情
- 标准号：BS 9364 N007& N009-1978
- 中文标题：npnSiliziumSchalttransistoren MIT格林格Leistungsaufnahme ， Detailspezifikation ， 20 V ， planarepitaxial ， umgebungsbezogen ， hermetisch abgedichtet ， Volles UND zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau详细规范低功率NPN ， 20 V ， 300毫瓦瑞士法郎
- 英文标题：npnSiliziumSchalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 20 V, planarepitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail Specification for Low Power N-P-N, 20 V, 300
- 标准类别：英国标准BS
- 发布日期：1978-01-01
内容简介
Ratings, characteristics and inspection requirements for the CV8615 and CV8616, 20 V, 300 mW low power switching transistor.
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，本网站所提供的电子文本仅供参考，请以正式出版物为准。仅供个人标准化学习，研究使用。如有侵权，请及时联系我们！
