ASTM F616M-1996(2003) 标准详情
- 标准号：ASTM F616M-1996(2003)
- 中文标题：测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- 英文标题：Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：1996
ASTM F616M-1996(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
内容简介
1.1 This test method covers the measurement of MOSFET (Note 1) drain leakage current.Note 18212;MOS is an acronym for metal-oxide semiconductor; FET is an acronym for field-effect transistor.1.2 This test method is applicable to all enhancement-mode
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