GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
内容简介
国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位
有研半导体材料股份有限公司、中国计量科学研究院、杭州海纳半导体有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、浙江省硅材料质量检验中心、浙江金瑞泓科技股份有限公司、
起草人
孙燕、梁洪、张静、王飞尧、高英、楼春兰、
相近标准
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