EIA JESD 60-2004 标准详情
- 标准号：EIA JESD 60-2004
- 中文标题：一个程序，测量P沟道MOSFET热载流子引起的退化在目前在DC最大应力门
- 英文标题：A Procedure For Measuring P-channel Mosfet Hot-carrier-induced Degradation At Maximum Gate Current Under Dc Stress
- 标准类别：美国电子工业协会EIA
- 发布日期：
EIA JESD 60-2004 一个程序，测量P沟道MOSFET热载流子引起的退化在目前在DC最大应力门
内容简介
Defines a standard procedure for accelerated testing of the hot-carrier-induced change of a p-channel MOSFET. The objective is to provide a minimum set of measurements so that accurate comparisons can be made between different technologies.
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