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DLA MIL-M-38510/244 B VALID NOTICE 4-2010 微电路，数字化， NMOS ， 65,536位，动态随机存取存储器（ DRAM ），单片硅

DLA MIL-M-38510/244 B VALID NOTICE 4-2010 微电路，数字化， NMOS ， 65,536位，动态随机存取存储器（ DRAM ），单片硅

DLA MIL-M-38510/244 B VALID NOTICE 4-2010 标准详情

标准号：DLA MIL-M-38510/244 B VALID NOTICE 4-2010
中文标题：微电路，数字化， NMOS ， 65,536位，动态随机存取存储器（ DRAM ），单片硅
英文标题：Microcircuits, Digital, NMOS, 65,536 BIT, Dynamic Random Access Memory (DRAM), Monolithic Silicon
标准类别：美国国防部后勤局DLA
发布日期：2010

内容简介

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