JEDEC JESD28-A-2001 标准详情
- 标准号：JEDEC JESD28-A-2001
- 中文标题：测量DC压力下最大基层电流N-信道MOSFET Hot-Carrier-Induced降级
- 英文标题：procedure for measuring n-channel mosfet hot-carrier-induced degradation under dc stress
- 标准类别：电子元件工业联合会标准JEDEC
- 发布日期：2001-12-01
JEDEC JESD28-A-2001 测量DC压力下最大基层电流N-信道MOSFET Hot-Carrier-Induced降级
内容简介
Hot-carrier-induced degradation of MOSFET parameters over time is an important reliabilityconcern in modern microcircuits. High energy carriers, also called hot carriers, are generated inthe MOSFET by the large channel electric fields near the drain
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