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DLA MIL-PRF-19500/601 G-2006 半导体器件,场效应辐射硬化总剂量只晶体管, n沟道,硅,类型2n7261和2n7262和u的后缀, jantxvr中,f , g和h与jansr中,f , g和h

DLA MIL-PRF-19500/601 G-2006 半导体器件,场效应辐射硬化总剂量只晶体管, n沟道,硅,类型2n7261和2n7262和u的后缀, jantxvr中,f , g和h与jansr中,f , g和h

DLA MIL-PRF-19500/601 G-2006 标准详情

  • 标准号:DLA MIL-PRF-19500/601 G-2006
  • 中文标题:半导体器件,场效应辐射硬化总剂量只晶体管, n沟道,硅,类型2n7261和2n7262和u的后缀, jantxvr中,f , g和h与jansr中,f , g和h
  • 英文标题:semiconductor device, field effect radiation hardened total dose only transistors, n-channel, silicon, types 2n7261 and 2n7262 and u suffixes, jantxvr, f, g, and h and jansr, f, g, and h
  • 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期:2006-07-05

内容简介

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