JEDEC JESD60A-2004 标准详情
- 标准号：JEDEC JESD60A-2004
- 中文标题：P路MOSFET热载波的测量规程 导致DC压下的退化
- 英文标题：a procedure for measuring p-channel mosfet hot-carrier- induced degradation under dc stress
- 标准类别：电子元件工业联合会标准JEDEC
- 发布日期：2004-09-01
JEDEC JESD60A-2004 P路MOSFET热载波的测量规程 导致DC压下的退化
内容简介
Hot-carrier-induced change of MOSFET parameters over time is an important reliability concernin modern microcircuits. High-energy carriers, also called hot carriers, are generated in theMOSFET by the large channel electric fields near the drain regio
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