ASTM F616-1992 标准详情
- 标准号:ASTM F616-1992
- 中文标题:测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的试验方法
- 英文标题:test method for measuring mosfet drain leakage current
- 标准类别:美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期:1992-01-01
1.1 This test method covers the measurement of MOSFET (Note 1) drain leakage current. Note 1-MOS is an acronym for metal-oxide semiconductor; FET is an acronym for field-effect transistor. 1.2 The test method is applicable to all enhance
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,本网站所提供的电子文本仅供参考,请以正式出版物为准。仅供个人标准化学习,研究使用。如有侵权,请及时联系我们!
