ASTM F996-1998(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
ASTM F996-1998(2003) 标准详情
- 标准号：ASTM F996-1998(2003)
- 中文标题：利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- 英文标题：Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：1998
内容简介
1.1 This test method covers the use of the subthreshold charge separation technique for analysis of ionizing radiation degradation of a gate dielectric in a metal-oxide-semiconducter-field-effect transistor (MOSFET) and an isolation dielectic in a pa
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