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DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)四晶体管, n沟道和p沟道,硅类型2n7521u , 2n7522u , 2n7525和2n7526 , jantxvr和f和jansr和f

DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)四晶体管, n沟道和p沟道,硅类型2n7521u , 2n7522u , 2n7525和2n7526 , jantxvr和f和jansr和f

DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 标准详情

  • 标准号:DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012
  • 中文标题:半导体器件,场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)四晶体管, n沟道和p沟道,硅类型2n7521u , 2n7522u , 2n7525和2n7526 , jantxvr和f和jansr和f
  • 英文标题:semiconductor device, field effect radiation hardened (total dose and single event effects) quad transistor, n-channel and p-channel, silicon types 2n7521u, 2n7522u, 2n7525, and 2n7526, jantxvr and f and jansr and f
  • 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期:2012-06-15

内容简介

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