ASTM F1153-1992 标准详情
- 标准号：ASTM F1153-1992
- 中文标题：用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
- 英文标题：test method for characterization of metal-oxide-silicon (mos) structures by capacitance-voltage measurements
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：1992-05-15
ASTM F1153-1992 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
内容简介
CONTAINED IN VOL. 10.05, 2003Measures metal oxide silicon (MOS) structures for flat band capacitance, flatband voltage, average carrier concentration within depletion length of semiconductor oxide interface, displacement of flatband voltage after app
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