ASTM F996-2011 利用亚阀值电流-电压特性将由于氧化物封闭孔和界面状态引起的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阀值电压漂移分离成若干分量的试验方法
ASTM F996-2011 标准详情
- 标准号：ASTM F996-2011
- 中文标题：利用亚阀值电流-电压特性将由于氧化物封闭孔和界面状态引起的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阀值电压漂移分离成若干分量的试验方法
- 英文标题：standard test method for separating an ionizing radiation-induced mosfet threshold voltage shift into components due to oxide trapped holes and interface states using the subthreshold current-voltage characteristics
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：2011-01-01
内容简介
THIS TEST METHOD COVERS THE USE OF THE SUBTHRESHOLD CHARGE SEPARATION TECHNIQUE FOR ANALYSIS OF IONIZING RADIATION DEGRADATION OF A GATE DIELECTRIC IN A METAL-OXIDE-SEMICONDUCTER-FIELD-EFFECT TRANSISTOR (MOSFET) AND AN ISOLATION DIELECTIC IN A PARASI
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，本网站所提供的电子文本仅供参考，请以正式出版物为准。仅供个人标准化学习，研究使用。如有侵权，请及时联系我们！
