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DLA MIL-PRF-19500/699 CANC 1-2006 半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N-沟道硅类型2N7527U3 ， 2N7528U3 ，和2N7529U3 JANTXVD ，R和JANSD ，R

DLA MIL-PRF-19500/699 CANC 1-2006 半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N-沟道硅类型2N7527U3 ， 2N7528U3 ，和2N7529U3 JANTXVD ，R和JANSD ，R

DLA MIL-PRF-19500/699 CANC 1-2006 标准详情

  • 标准号：DLA MIL-PRF-19500/699 CANC 1-2006
  • 中文标题：半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N-沟道硅类型2N7527U3 ， 2N7528U3 ，和2N7529U3 JANTXVD ，R和JANSD ，R
  • 英文标题：SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR, N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7527U3, 2N7528U3, AND 2N7529U3 JANTXVD, R AND JANSD, R
  • 标准类别：美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期：

内容简介

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