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DLA MIL-PRF-19500/595 G-2006 半导体器件中，重复雪崩，场效应晶体管， p沟道，硅，类型2n7236 ， 2n7237 ， 2n7236u和2n7237u ，一月， JANTX ， JANTXV ， JANS ， janhc和jankc

DLA MIL-PRF-19500/595 G-2006 半导体器件中，重复雪崩，场效应晶体管， p沟道，硅，类型2n7236 ， 2n7237 ， 2n7236u和2n7237u ，一月， JANTX ， JANTXV ， JANS ， janhc和jankc

DLA MIL-PRF-19500/595 G-2006 标准详情

  • 标准号：DLA MIL-PRF-19500/595 G-2006
  • 中文标题：半导体器件中，重复雪崩，场效应晶体管， p沟道，硅，类型2n7236 ， 2n7237 ， 2n7236u和2n7237u ，一月， JANTX ， JANTXV ， JANS ， janhc和jankc
  • 英文标题：semiconductor device, repetitive avalanche, field effect, transistor, p-channel, silicon, types 2n7236, 2n7237, 2n7236u, and 2n7237u, jan, jantx, jantxv, jans, janhc, and jankc
  • 标准类别：美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期：2006-06-26

内容简介

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