ASTM F617-2000 标准详情
- 标准号：ASTM F617-2000
- 中文标题：测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)线性临界电压的试验方法
- 英文标题：standard test method for measuring mosfet linear threshold voltage
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：2000-06-10
ASTM F617-2000 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)线性临界电压的试验方法
内容简介
1.1 This test method covers the measurement of MOSFET (see Note 1) linear threshold voltage under very low sweep rate or d-c conditions. It is a d-c conductance method applicable in the linear region of MOSFET operation where a drain voltage V D of a
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