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ASTM F996-2010 利用亚阀值电流-电压特性将由于氧化物封闭孔和界面状态引起的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阀值电压漂移分离成若干分量的试验方法

ASTM F996-2010 利用亚阀值电流-电压特性将由于氧化物封闭孔和界面状态引起的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阀值电压漂移分离成若干分量的试验方法

ASTM F996-2010 标准详情

  • 标准号:ASTM F996-2010
  • 中文标题:利用亚阀值电流-电压特性将由于氧化物封闭孔和界面状态引起的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阀值电压漂移分离成若干分量的试验方法
  • 英文标题:standard test method for separating an ionizing radiation-induced mosfet threshold voltage shift into components due to oxide trapped holes and interface states using the subthreshold current朧oltage characteristics
  • 标准类别:美国材料与试验协会ASTM
  • 发布日期:2010-05-01

内容简介

AUGER AND X-RAY PHOTOELECTRON SPECTRA ARE OBTAINED USING A VARIETY OF EXCITATION METHODS, ANALYZERS, SIGNAL PROCESSING, AND DIGITIZING TECHNIQUES.THIS PRACTICE LISTS THE DESIRABLE INFORMATION THAT SHALL BE REPORTED TO FULLY DESCRIBE THE EXPERIMENTAL

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