BS 9364-N016-1979(R1985) npnsiliziumschalttransistoren MIT格林格leistungsaufnahme , detailspezifikation , 65 V , planarepitaxial , umgebungsbezogen , hermetisch abgedichtet , volles UND zusaetzliches guetebestaetigungsniveau详细规范低功率NPN, 65 V , 600 MW SW
BS 9364-N016-1979(R1985) 标准详情
- 标准号:BS 9364-N016-1979(R1985)
- 中文标题:npnsiliziumschalttransistoren MIT格林格leistungsaufnahme , detailspezifikation , 65 V , planarepitaxial , umgebungsbezogen , hermetisch abgedichtet , volles UND zusaetzliches guetebestaetigungsniveau详细规范低功率NPN, 65 V , 600 MW SW
- 英文标题:npnsiliziumschalttransistoren mit geringer leistungsaufnahme. detailspezifikation. 65 v, planarepitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. volles und zusaetzliches guetebestaetigungsniveau detail specification for low power n-p-n, 65 v, 600
- 标准类别:英国标准
- 发布日期:
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