MIL PRF 19500/666-1999 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，P沟道硅型2N7454u1 ， 2N7455u1 Jansd ，R - （集合）
MIL PRF 19500/666-1999 标准详情
- 标准号：MIL PRF 19500/666-1999
- 中文标题：半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，P沟道硅型2N7454u1 ， 2N7455u1 Jansd ，R - （集合）
- 英文标题：Semiconductor Device, Field Effect Radiation Hardened (Total Dose And Single Event Effects) Transistor, P-Channel Silicon Type 2N7454u1, 2N7455u1 Jansd, R - (Collection)
- 标准类别：美国军标MIL
- 发布日期：
内容简介
Describes the performance requirements for a P-Channel, enhancement-mode, MOSFET, radiation hardened (Total Dose and Single Event characterization), power transistor.
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