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DLA MIL-PRF-19500/667 CANC 1-2005 半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N-沟道硅类型2N7456U1 ， 2N7457U1 ， 2N7458U1 ，和2N7459U1 JANTXVD ， JANTXVR ， JANSD ，和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/667 CANC 1-2005 半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N-沟道硅类型2N7456U1 ， 2N7457U1 ， 2N7458U1 ，和2N7459U1 JANTXVD ， JANTXVR ， JANSD ，和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/667 CANC 1-2005 标准详情

  • 标准号：DLA MIL-PRF-19500/667 CANC 1-2005
  • 中文标题：半导体器件，场效应抗辐射（TOTAL剂量和单粒子效应）晶体管，N-沟道硅类型2N7456U1 ， 2N7457U1 ， 2N7458U1 ，和2N7459U1 JANTXVD ， JANTXVR ， JANSD ，和JANSR
  • 英文标题：SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR, N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7456U1, 2N7457U1, 2N7458U1, AND 2N7459U1 JANTXVD, JANTXVR, JANSD, AND JANSR
  • 标准类别：美国国防部后勤局标准DLA
  • 发布日期：

内容简介

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