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DLA SMD-5962-11202-2012 微型电路，存储器，数字， CMOS ， 2M X 36位， 1,8 VOLT ， 2字和4字突发，抗辐射，同步静态随机存取存储器（ SSRAM ），单片硅

DLA SMD-5962-11202-2012 微型电路，存储器，数字， CMOS ， 2M X 36位， 1,8 VOLT ， 2字和4字突发，抗辐射，同步静态随机存取存储器（ SSRAM ），单片硅

DLA SMD-5962-11202-2012 标准详情

标准号：DLA SMD-5962-11202-2012
中文标题：微型电路，存储器，数字， CMOS ， 2M X 36位， 1,8 VOLT ， 2字和4字突发，抗辐射，同步静态随机存取存储器（ SSRAM ），单片硅
英文标题：MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2M X 36-bit, 1.8 VOLT, 2-WORD AND 4-WORD BURST, RADIATION HARDENED, SYNCHRONOUS STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SSRAM), MONOLITHIC SILICON
标准类别：美国国防部后勤局DLA
发布日期：2012-09-13

内容简介

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