ASTM F522-1994 标准详情
- 标准号：ASTM F522-1994
- 中文标题：用干扰对比显微术测定硅外延层的堆垛误差密度的测试方法
- 英文标题：standard test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference-contrast microscopy
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：1994
ASTM F522-1994 用干扰对比显微术测定硅外延层的堆垛误差密度的测试方法
内容简介
CONTAINED IN VOL 10.05 1997Describes non-destructive determination of stacking fault density in epitaxial layers of silicon. Precision at densities in excess of 15 000 cm to the minus 2 is less than that at lower densities.
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