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DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013 半导体器件,场效应晶体管,N - CHANNEL硅重复性雪崩,类型2N6764 , 2N6764T1 , 2N6766 , 2N6766T1 , 2N6768 , 2N6768T1 , 2N6770 ,和2N6770T1 , JAN , JANTX , JANTXV , JANS , JANHC ,和JANKC

DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013 半导体器件,场效应晶体管,N - CHANNEL硅重复性雪崩,类型2N6764 , 2N6764T1 , 2N6766 , 2N6766T1 , 2N6768 , 2N6768T1 , 2N6770 ,和2N6770T1 , JAN , JANTX , JANTXV , JANS , JANHC ,和JANKC

DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013 标准详情

  • 标准号:DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013
  • 中文标题:半导体器件,场效应晶体管,N - CHANNEL硅重复性雪崩,类型2N6764 , 2N6764T1 , 2N6766 , 2N6766T1 , 2N6768 , 2N6768T1 , 2N6770 ,和2N6770T1 , JAN , JANTX , JANTXV , JANS , JANHC ,和JANKC
  • 英文标题:SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON REPETITIVE AVALANCHE, TYPES 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770, AND 2N6770T1, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC
  • 标准类别:美国国防部后勤局DLA
  • 发布日期:2013-03-29

内容简介

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