ASTM F723-1999 标准详情
- 标准号：ASTM F723-1999
- 中文标题：掺硼、掺磷、掺砷杂质硅片的电阻率与掺杂密度换算的标准实施规范
- 英文标题：standard practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：1999
ASTM F723-1999 掺硼、掺磷、掺砷杂质硅片的电阻率与掺杂密度换算的标准实施规范
内容简介
This standard was transferred to SEMI (www.semi.org) May 20031.1 This practice describes a conversion between dopant density and resistivity for boron- and phosphorus-doped single crystal silicon at 23176C. The conversions are based primarily on the
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