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IEC 60747-8-1-1987 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第1节:1ghz 5w以下的单栅极场效应晶体管的空白详细规范

IEC 60747-8-1-1987 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第1节:1ghz 5w以下的单栅极场效应晶体管的空白详细规范

IEC 60747-8-1-1987 标准详情

  • 标准号:IEC 60747-8-1-1987
  • 中文标题:半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第1节:1ghz 5w以下的单栅极场效应晶体管的空白详细规范
  • 英文标题:semiconductor devices - discrete devices - part 8: field-effect transistors - section one: blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 w and 1 ghz
  • 标准类别:国际电工委员会标准
  • 发布日期:1987-12-30

内容简介

Applicable to quality assessment for field-effect transistors. Gives specific requirements (included in QC 750112 of the IECQ system), represents the blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz.

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