DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 半导体器件，场效应晶体管， p沟道，辐射硬化（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型2n7626ub ， 2n7626ubc ， 2n7626ubn ， 2n7626ubcn ， jantxvr ， jantxvf ， jansr和jansf
DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 标准详情
- 标准号：DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012
- 中文标题：半导体器件，场效应晶体管， p沟道，辐射硬化（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型2n7626ub ， 2n7626ubc ， 2n7626ubn ， 2n7626ubcn ， jantxvr ， jantxvf ， jansr和jansf
- 英文标题：semiconductor device, field effect transistor, p-channel, radiation hardened (total dose and single event effects), logic-level silicon, types 2n7626ub, 2n7626ubc, 2n7626ubn, 2n7626ubcn, jantxvr, jantxvf, jansr, and jansf
- 标准类别：美国国防部后勤局标准DLA
- 发布日期：2012-08-27
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