DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 半导体器件,场效应晶体管, n沟道,辐射硬化(总剂量和单事件效应),逻辑级硅,类型2n7616ub , 2n7616ubc , 2n7616ubn , 2n7616ubcn , jantxvr , jantxvf , jansr和jansf
DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 标准详情
- 标准号:DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012
- 中文标题:半导体器件,场效应晶体管, n沟道,辐射硬化(总剂量和单事件效应),逻辑级硅,类型2n7616ub , 2n7616ubc , 2n7616ubn , 2n7616ubcn , jantxvr , jantxvf , jansr和jansf
- 英文标题:semiconductor device, field effect transistor, n-channel, radiation hardened (total dose and single event effects), logic-level silicon, types 2n7616ub, 2n7616ubc, 2n7616ubn, 2n7616ubcn, jantxvr, jantxvf, jansr, and jansf
- 标准类别:美国国防部后勤局标准DLA
- 发布日期:2012-05-01
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