ASTM F978-1990(1996)E1 标准详情
- 标准号：ASTM F978-1990(1996)E1
- 中文标题：标准测试方法，通过瞬态电容技术表征半导体深能级
- 英文标题：standard test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
- 标准类别：美国材料与试验协会ASTM
- 发布日期：1990
ASTM F978-1990(1996)E1 标准测试方法，通过瞬态电容技术表征半导体深能级
内容简介
1.1 This test method covers three procedures for determining the density, activation energy, and prefactor of the exponential expression for the emission rate of deep-level defect centers in semiconductor depletion regions by transient-capacitance te
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